光电芯片研发工程师

部门：技术部门

学历：硕士研究生

区域：泉州

时间：2023-10-13

岗位描述：

1、 负责半导体激光器产品（DFB/VCSEL/PD）量产与性能提升； 

2、 负责光电芯片外延仿真及设计；

3、 协调后工艺的开发与控制 – 光刻，湿式蚀刻，等离子体蚀刻，金属和介电沉积系统，镀膜，注入和氧化； 

4、 负责对生产工艺异常分析处理和失效分析。改良优化工艺流程，提升良率, 质量管控；

5、 负责编制技术文件规范和标准, 技术培训指导, 制作作业指导书； 

6、 完成公司制定的项目研发计划。

任职要求：

1、 硕士及以上学历，熟练掌握Ⅲ-Ⅴ族半导体高速DFB/VCSEL和PD芯片的原理、设计、工艺流程, 有成功的10G及以上速率高速芯片开发经验者优先； 

2、 具备半导体激光器基本知识, 能够熟练使用CAD或类似软件设计光刻掩模板 (mask)； 

3、 能够通过仿真软件对设计进行仿真分析, 熟悉光刻、刻蚀、镀膜、溅射等各种光芯片工艺；

4、 熟悉光电器件外延/芯片/器件封装工艺流程者优先； 

5、 具有优良沟通、协调及计划能力；

6、 具备熟练的英语读写能力。